DTM-151高斯计在离子注入机中的应用

DTM-151高斯计在离子注入机中的应用

集成电路前道制程中有许多光刻层之后的工艺是离子注入，这些光刻层被称为离子注入光刻层。集成电路芯片制造过程中，通过离子注入引起材料表面成分、结构和性能发生变化，从而获得某些新的优异性能。

随着现代科学技术的不断发展和创新，新型加速器、离子注入机等的研制对直流磁场的测量提出了越来越高的要求。DTM-151高斯计可以精确测量直流磁场的分布，它的测量精度是100ppm，达到国内外的先进测量水平。

DTM-151高斯计的主要特点为：

• 精度：0.01%
• 4档量程：0.3，0.6，1.2，3.0T
• 7位数字显示
• 最高分辨率0.1μT
• 可选RS232或者IEEE488/GPIB通讯
• 温度补偿探头，可定制线缆长度
• 适配LPT-141探头时，温度漂移10ppm / ℃，使用MPT-141探头时，温度漂移10ppm / ℃
• 6T，9T，13T高场探头可选

DTM-151 数字特斯拉计提供精确、高分辨率的磁场测量，并通过光纤或RS-232C 进行串行通信，用于系统应用。仪器轻巧紧凑，并且探头易于使用。

DTM-151 经设计可承受高压放电产生的严重电气干扰。