F3B模拟磁场变送器

F3B模拟磁场变送器描述：

F3B是SENIS模拟磁场变送器，带有完全集成的3轴霍尔探头。

霍尔探头包含一个CMOS集成电路，该电路包含三组相互正交的霍尔元件、偏置电路、放大器和温度传感器。集成霍尔元件占据非常小的面积（150 x 150µm2），这提供了非常高的探头空间分辨率。CMOS IC技术能够在垂直和水平霍尔元件的制造中实现非常高的精度，这使得探头的三个测量轴的角度精度很高（正交性误差<1°，以优于0.1°的精度确定）。

在霍尔元件的偏置中应用自旋电流技术抑制了平面霍尔效应。芯片上信号预处理实现了探头非常高的频率带宽（DC至25kHz），芯片上信号放大提供了霍尔探头的高输出信号，这使变送器免受外部电磁干扰。

霍尔探头与一个电子模块相连（图1中的模块E）。模块E为霍尔探头提供偏置和霍尔探头输出信号的附加调节：放大、线性化、偏移消除、温度变化补偿和频率带宽限制。

F3B模拟磁场变送器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：

▪与磁场的三个测量分量（分别为Bx、By和Bz）成比例的高电平差分电压（Vx、Vy和Vz）

▪与霍尔传感器的实际温度成比例的接地参考电压（Vpt）。

F3B模拟磁场变送器主要特点：

▪全集成CMOS三轴霍尔探头（Bx、By、Bz），使用一个、两个或三个通道

▪非常高的空间分辨率：By：0.03 x 0.005 x 0.03 mm3；Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm3

▪高角度精度：探头三个测量轴之间的正交误差<±1°，通过应用改进的测量算法以优于0.1°的精度确定

▪高频带宽： DC至25 kHz（-3 dB）

▪极低的平面霍尔电压

▪探针中集成温度传感器，用于温度补偿

▪探头上可忽略的电感回路

F3B模拟磁场变送器典型应用：

▪永磁体的特性和质量控制

▪磁铁系统的发展

▪三维磁场映射

▪磁体系统（发电机、电机等）的质量控制和监测

▪实验室和生产线上的应用