H3B模拟磁场变送器

H3B模拟磁场变送器描述

H3B是SENIS模拟磁场变送器，带有离散3轴霍尔探头，可以测量磁场的三个分量（Bx、By、Bz）。

霍尔探头集成了三个具有良好角度精度的高分辨率离散霍尔传感器（正交性误差<2°）和温度传感器。

模块E为霍尔探头供电，通过使用旋转电流技术从而减少偏移、低频噪声和平面霍尔效应。电子模块内霍尔探头输出信号的附加调节包括霍尔信号放大、高线性化、温度变化补偿和频率带宽限制。

H3B模拟磁场变送器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：

•与磁通密度的所有三个测量分量（Bx、By、Bz）成比例的高电平差分电压，

•与霍尔传感器的实际温度成比例的参考电压。

H3B模拟磁场变送器主要特点：

▪ 混合三轴霍尔探头（Bx、By、Bz），使用一个、两个或三个通道

▪ 超低噪声和低偏移波动磁场传感器，实现非常高的分辨率测量（噪声频谱密度低至10nT/）

▪ 线性度非常好

▪ 基于大幅度改进的偏移和降噪技术的磁场变送器

▪ 极低的平面霍尔电压

▪ 用于温度补偿的探头中的温度传感器

▪ 可提供各种霍尔探头几何形状/尺寸

H3B模拟磁场变送器典型应用：

▪绘制磁场

▪波荡器系统的特性

▪电流感应

▪在实验室和生产线上的应用

▪磁体系统（发电机、电机等）的质量控制和监测。