I3D模拟磁场变送器

I3D模拟磁场变送器描述

I3D 是SENIS模拟磁场变送器，带有完全集成的3轴霍尔探头。

霍尔探头包含一个CMOS集成电路，其中包含三组相互正交的霍尔元件和一个温度传感器。集成霍尔元件占据非常小的面积（100μm x 100μm），这提供了非常高的探针空间分辨率。

模块E为霍尔探头供电，通过使用旋转电流技术从而减少偏移、低频噪声和平面霍尔效应。电子模块内霍尔探头输出信号的附加调节包括霍尔信号放大、高线性化、温度变化补偿和频率带宽限制。

I3D模拟磁场变送器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：

•与磁通密度的所有三个测量分量（Bx、By、Bz）成比例的高电平差分电压，

•与霍尔传感器的实际温度成比例的参考电压。

I3D模拟磁场变送器主要特点：

▪集成CMOS三轴霍尔探针（Bx、By、Bz），使用一个、两个或三个通道

▪低噪声和低偏移波动磁场传感器，实现高分辨率测量

▪非常高的线性度

▪基于大幅度改进的偏移和降噪技术的磁场变送器

▪极低的平面霍尔电压

▪用于温度补偿的探头中的温度传感器

▪探头上可忽略的电感回路

I3D模拟磁场变送器典型应用：

▪绘制磁场

▪波荡器系统的特性

▪电流感应

▪在实验室和生产线上的应用

▪磁体系统（发电机、电机等）的质量控制和监测。