SENIS模拟高斯计F3A系列产品介绍

F3A模拟高斯计完全集成3轴霍尔探头。

霍尔探头包含一个CMOS集成电路，它包含三组相互正交的霍尔元件，偏置电路，放大器，

和温度传感器。集成的霍尔元件只有非常小的面积（150μm×150μm），探头具有非常高的空间分辨率。 CMOS IC技术可以在垂直和水平霍尔元件的制造中实现非常高的精度，从而提供探头的三个测量轴的高角度精度（正交误差<0.1°）。旋转电流技术在霍尔元件偏置中的应用抑制了平面霍尔效应。片上信号预处理可实现探头的极高频率带宽（DC至25 kHz）;并且片上信号放大提供霍尔探头的高输出信号，这使得传感器免受电磁干扰。

霍尔探头与电子盒连接（图1中的模块E）。模块E为霍尔探头提供偏置，并对其进行额外调节霍尔探头输出信号：放大，线性化，抵消偏移，温度变化补偿和频率带宽限制。

F3A磁传感器的输出可在模块E的连接器CoS处获得：这些是与磁通量的每个测量组件成比例的高电平差分电压密度;以及与探头温度成比例的接地参考电压。

产品特性

1.       完全集成的CMOS 3轴（Bx，By，Bz）霍尔探头，可以使用其中的一个，两个或三个通道

2.       非常高的空间分辨率（By：0.03 x 0.005 x 0.03mm 3; Bx和Bz：0.15 x 0.01 x 0.15 mm 3）

3.       高角度精度（正交误差小于0.1°）

4.       几乎没有平面霍尔效应

5.       高带宽（从DC到25kHz）

6.       高抗干扰性

7.       探头上的感应回路可忽略不计

8.       探头上的集成温度传感器用于温度补偿

典型应用

1.       永磁铁的性能与质量控制

2.       磁铁系统的研发

3.       磁场映射

4.       磁铁的质量控制和监控 （发电机，电动机等）

5.       在实验室和生产线中应用

图1. 采用SENIS磁场 - 电压传感器的典型测量装置，带有完全集成的霍尔探头（模块H）和电子（模块E）

图2. 带有完全集成霍尔探头的3轴磁场传感器

模块H参数

霍尔探头具有多种不同的几何形状/尺寸，可满足广泛的应用需求。

磁场与电子参数

除非另有说明，否则所有用于三个B测量通道Bx，By和Bz的参数，适用于室温（23°C）和设备预热15分钟后。

模块E：机械与电子参数